用途：
主要用於各大高校、硅材料實驗室、及微電子專業對半導體6寸及以下硅片的高溫擴散、氧化（濕氧）、退火、燒結合金工藝的教學和實驗工作。
1.1、工作溫度：400-1300℃
1.2、恆溫區長度及精度： 300mm /±0.5℃（可選）
1.3、爐管數：一、二、三、四管（可選）
1.4、適應硅片尺寸： 6寸及向下兼容
1.5、送取片方式：自動或手動（可選）
